фото: russia-ic.com

Холдинг «Росэлектроника» приступил к выпуску нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для создания сетей связи 5G и нового поколения систем радиолокации. Опытные образцы приборов прошли испытания в составе квадрокоптеров, радиостанций и аппаратуры локации аэропортов и в настоящее время поставляются более 20 предприятиям для тестовой эксплуатации.

Новые транзисторы обладают высоким значением удельной выходной мощности, широкой полосой согласования, высоким значением пробивных напряжений «сток-исток». Выходная мощность приборов – от 5 до 50 Вт, коэффициент усиления по мощности – от 9 до 13 дБ, КПД стока – не менее 45% на тестовой частоте 4 ГГц и 2,9 ГГц. Транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек в составе аппаратуры.

Разработчиком изделий выступило воронежское АО «НИИ электронной техники» (в составе холдинга входит в Концерн «Созвездие»). Предприятие в настоящее время работает над расширением линейки GaN-транзисторов.

Гетероэпитаксиальные структуры GaN и твердых растворов на его основе находят все более широкое применение в области радио- и силовой электроники. Развитие производства мощных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, приведет к значительному уменьшению размеров блоков питания, адаптеров, зарядных устройств. В частности, позволит принципиально сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов. СВЧ/GaN-транзисторы в сетях связи позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот.